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論文

The Phase and crystal-growth study of group-III nitrides in a 2000$$^{circ}$$C at 20 GPa region

齋藤 寛之; 内海 渉; 金子 洋; 青木 勝敏

Journal of Crystal Growth, 300(1), p.26 - 31, 2007/03

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.201
 被引用回数：17 パーセンタイル：82.34(Crystallography)

大容量高圧プレスを用いたIII族窒化物の結晶育成を行っている。オプトエレクトロニクスや高出力・高周波動作半導体デバイス開発のキー物質であるIII族窒化物は、常圧で加熱すると融解に達する前に分解してしまう。このため、そのバルク結晶をブリッジマン法などの一般的な結晶成長方法によって作製することは困難である。高圧をかけることでこの分解を抑制し、メルトから結晶を育成できるようになることが予想される。高圧法を用いたGaN, Al$$_{x}$$Ga$$_{1-x}$$Nの結晶成長と、InNの高温高圧下での相安定性について報告する。

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